IRFR220, IRFU220, SiHFR220, SiHFU220
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R G
V GS
V DS
Vishay Siliconix
R D
D.U.T.
+
- V DD
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
10 %
Fig. 8 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 9 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
S14-0555-Rev. E, 07-Apr-14
5
Document Number: 91270
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IRFR220TRR 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR220TRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR221 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR222 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR2229A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR224 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR224A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | TO-252AA